Сегодня на сайте:

Быстрые ссылки:Нашим выпускникам:
Заполнить анкету
Ответы наших выпускников

Нашим абитуриентам:
Заполнить анкету
Обращение к поступающим
Задать вопрос декану факультета
Прочитать ответы декана

Олимпиада
для сельских абитуриентов–2010:

Задачи к олимпиаде


Прочее:
Информация о сайте
Обратная связь




Перечень программ вступительных испытаний
на физический факультет в 2011 г.
Программа
вступительного испытания при приёме на 5 курс специальности
«Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»
физического факультета.

Форма вступительного испытания – междисциплинарное собеседование.

Дисциплина – Физика полупроводников и низкоразмерных структур.
  1. Основные понятия физики полупроводников (подвижность, длина свободного пробега, время релаксации, легирование, эффективная масса, квазиимпульс, вырождение).
  2. Физические обоснования зонной теории твердых тел. Диэлектрики, полупроводники, металлы. Элементарные полупроводники: Si, Ge, GaAs.
  3. Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость проводимости для собственных и примесных полупроводников.
  4. Контактные явления. Работа выхода. Контактная разность потенциалов.
  5. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Функция распределения. Плотность состояний.
Дисциплина – Микроэлектроника.
  1. Пределы и ограничения микроэлектроники. Закон Мура.
  2. Изоляция элементов в интегральной электронике.
  3. Интегральные микросхемы на биполярных транзисторах. Типовой технологический цикл производства биполярных ИС.
  4. Интегральные микросхемы на униполярных транзисторах. КМОП (CMOS) технология ИС.
  5. МДП транзистор, как элемент микросхем для создания запоминающих устройств.

[[[ Вернуться к перечню программ ]]]

К началу страницы

© Физический факультет ЯрГУ, 2006—2025 гг. (Информация о сайте / Обратная связь.)
© Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 1995—2025 гг.